Korzystając z tej strony, wyrażasz zgodę na używanie plików cookie.

Politechnika Śląska w Gliwicach

English version


Jesteś naszym 704292 gościem

International Power Electronics and Motion Control Conference

Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki
Katedra - o nas / Pracownicy / Krzysztof Przybyła

dr inż. Krzysztof Przybyła

pokój: 222
telefon: (032) 237-13-04
e-mail:
konsultacje: wtorek, godz. 1000 - 1200
plan zajęć: link
dr inż. Krzysztof Przybyła


Zainteresowania naukowe:

  • energoelektronika i układy sterowania,
  • bezprzewodowy przesył energii elektrycznej,
  • nagrzewanie indukcyjne,
  • przekształtniki rezonansowe: budowa, sterowanie i modelowanie,
  • falowniki wysokiej częstotliwości (f>5 MHz),
  • programowanie: C/C++ (mikrokontrolery), VHDL (układy CPLD/FPGA), język Python (modelowanie obwodów).

Publikacje:
  1. Przybyła K., Kasprzak M., Legutko P., Kierepka K., Zimoch P.: Falowniki dwuczęstotliwościowe do nagrzewania indukcyjnego, Śląskie Wiadomości Elektryczne, 10.2019, Nr 5'2019, s. 22-26, bibliogr. 14 poz.
  2. Przybyła K., Kasprzak M.: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz, Przegląd Elektrotechniczny, 03.2018 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.
  3. Przybyła K., Kasprzak M.: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC, Przegląd Elektrotechniczny, 03.2018 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.
  4. Przybyła K.: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC, Przegląd Elektrotechniczny, 01.2018 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.
  5. Przybyła K.: Cyfrowy sterownik CPLD falownika klasy DE, Przegląd Elektrotechniczny, 05.2017 93 nr 5, s. 21-24, bibliogr. 9 poz.
  6. Przybyła K.: Możliwości zastosowania tranzystorów MOSFET na bazie SiC oraz GaN w falowniku klasy DE, Elektryka, Gliwice 2016, Zeszyt 3-4 (239 240), s. 23-33, bibliogr. 25 poz.
  7. Kasprzak M., Kaczmarczyk Z., Legutko P., Przybyła K.: Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET, XV Sympozjum Energoelektronika w Nauce i Dydaktyce, ENiD 2016, Gliwice-Tarnowskie Góry 2016, s. 141-144.
  8. Przybyła K.: Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN, XV Sympozjum Energoelektronika w Nauce i Dydaktyce, ENiD 2016, Gliwice-Tarnowskie Góry 2016, s. 129-134.

 © 2002 - 2020 Politechnika Śląska, Wydział Elektryczny, KENER    Webmaster: