Politechnika Śląska w Gliwicach

English version


Jesteś naszym 555722 gościem

Laboratorium Podstaw Telekomunikacji

Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki
Katedra - o nas / Wydawnictwa / Wybrane zagadnienia cyfrowej realizacji algorytmów modulacji szerokości impulsów w układach przekształtnikowych


Wybrane zagadnienia cyfrowej realizacji algorytmów modulacji szerokości impulsów w układach przekształtnikowych


Spis treści:

    WYKAZ WAŻNIEJSZYCH OZNACZEŃ

    PODSTAWOWE POJĘCIA I OKREŚLENIA

    1. WSTĘP
      • Wprowadzenie
      • Cel i zakres pracy
      • Motywacja
      • Zawartość pracy
    2. AKTUALNY STAN TEMATYKI
    3. ZAWORY ENERGOELEKTRONICZNE
      • Tranzystory MOSFET
      • Tranzystory IGBT
      • Układy wyzwalania tranzystorów mocy
    4. CYFROWE UKŁADY STERUJĄCE
      • Mikrokontrolery i procesory sygnałowe
      • Cyfrowe układy programowalne
    5. FALOWNIK NAPIĘCIA MSI
      • Obwody główne falownika
      • Układy pomocnicze
    6. METODY STEROWANIA FALOWNIKÓW NAPIĘCIA MSI
      • Modulacje naturalna i regularna
      • Mikroprocesorowa realizacja modulacji regularnej
      • Implementacja modulacji regularnej za pomocą układów programowalnych
      • Modulacja wektorowa
      • Cyfrowa realizacja modulacji wektorowej
      • Nadmodulacja dla algorytmu modulacji wektorowej
    7. WYBRANE ASPEKTY REALIZACJI MODULACJI
      • Czas martwy w sygnale sterującym
      • Minimalny czas impulsu przełączającego
      • Modulacja wektorowa, a modulacja stochastyczna
        • Idea modulacji stochastycznej
        • Modulacja ze stochastycznie zmienną częstotliwością przełączania
        • Modulacja stochastyczna ze stałą częstotliwością przełączania
        • Wyniki badań modulacji stochastycznej
      • Modulacja wektorowa nieciągła
      • Wpływ algorytmu modulacji wektorowej na wybrane zjawiska pasożytnicze
    8. KONCEPCJA NOWEGO CYFROWEGO UKŁADU MODULATORA MSI
    9. PODSUMOWANIE I WNIOSKI

    BIBLIOGRAFIA

    DODATEK

    D1. Parametry przykładowych tranzystorów MOSFET

    D2. Parametry przykładowych tranzystorów IGBT

    STRESZCZENIE


 © 2002 - 2017 Politechnika Śląska, Wydział Elektryczny, KENER    Webmaster: